Everspin 非揮發性存儲芯片MR2A16AMYS35
2018-05-28 15:21:31
自20世紀90年代以來，MRAM或磁阻隨機存取存儲器一直在發展中。 基于90年代以來在硬盤驅動器行業使用的相同磁性技術，它是一種新興技術之一，已被認為是下一代存儲器的替代品，可取代DRAM和NAND閃存等半導體行業的中堅力量，磁阻隨機存取存儲器（MRAM）技術先驅——Everspin推出4MB并行總線接口的MRAM芯片MR2A16AMYS35。
這款并行MRAM芯片采用符合RoHS標準的44芯TSOP II型封裝，為262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM，數據保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。MR2A16AMYS35能夠在擴展級（-40至+105 °C）溫度范圍內工作，并在整個溫度范圍內保持高度可靠的數據存儲能力。
Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合，以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖，我們將不斷提高MRAM產品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”MRAM是一種非易失性存儲技術，主要用來擴展μC/OS-II功能。在不需要電能的情況下可以保留存儲內容至少十年。就無法滿足系統健壯性要求，
?表為并行MRAM型號產品列表
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關鍵詞：
Everspin
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